柔性线路板厂了解到，近日，三星、SK海力士等DRAM厂商争相爆出有关第五代1bDRAM的最新研发进展，新一代产品在数据处理速度、功耗、耗电量等方面都有了显著提升，在移动设备、智能车辆、数据中心以及人工智能等领域的应用将更加广泛。

  英特尔、英伟达、AMD等厂商开始了新一轮的订购，存储厂商也将1bDRAM视为改善业绩的关键产品。同时，存储厂商开始了对下一代工艺节点1c的研发。有消息说，三星将跳过1bDRAM，直接研发1cDRAM。面向当前的1b竞争与未来的1c竞争，存储厂商已经开始暗中较劲。

1bDRAM研发如火如荼

  一直以来，各大内存厂商将上一代DRAM芯片按照1X、1Y、1Z进行工艺区分，1Xnm工艺相当于16-19nm制程工艺、1Ynm相当于14-16nm制程工艺，1Znm工艺相当于12-14nm制程工艺。而新一代的1a、1b和1c则分别代表14-12nm、12-10nm以及10nm及以下制程工艺。

各大DRAM企业的研发进展图

  SK海力士重点发力存储产品的运行速度。据悉，SK海力士已开始与英特尔一起验证其最新的Gen 5(1b)10nm服务器DDR5 DRAM，后续可与英特尔至强可扩展平台服务器处理器搭配使用。

  三星则一如既往强调研发和技术领先性，宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产，并在最近与AMD完成了兼容性测试。三星表示，这款产品是业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。

  FPC厂了解到，存储三巨头中，美光在1bDRAM的推出时间上占得先机，已经向智能手机制造商和芯片组的合作伙伴运送样品，还将在LPDDR5X内存上采用新的工艺技术，提供最高8.5Gbps速率。

1cDRAM成为下半场竞争关键

  虽然1b相比1a工艺在密度、性能、能效方面都有一定提升，但相比下一代工艺1c仍存在局限性。相较于1a工艺节点，1b工艺节点的提升主要体现在功耗和性能方面。1bDRAM能够提供更低的功耗和更高的性能，同时也能够更好地适应新一代处理器的需求。然而，1bDRAM与1cDRAM相比，还存在一定的局限性，无法支持更高的容量和更快的速度。

  因此，业界认为1c工艺是DRAM接下来的竞争关键。据悉，1bDRAM产品主要受存储市场萎靡影响，市场空间相对有限。预计存储市场在2023年底或2024年上半年开始反弹，按照DRAM市场技术迭代速度，市场复苏刚好迎来1cDRAM产品推出时间，所以1cDRAM产品成为市场复苏后各家竞争关键。

  软板厂了解到，目前来看，三星、SK海力士和美光都有在1cDRAM份额争夺战中拔得头筹的机会。三星在研发方面一直处于领先地位，SK海力士具有强大的生产能力和技术实力，而美光则具有独特的技术和设计优势，产品迭代形成产品稳定性。目前三家的研发进度都比较接近，未来的走势还需要时间和机遇的检验。